به وب‌سایت‌های ما خوش آمدید!
بخش02_bg(1)
سر (1)

دستگاه آزمایشگاهی اثر مغناطیسی مقاومتی LEEM-8

شرح مختصر:

توجه: اسیلوسکوپ شامل نمی‌شود

این دستگاه از نظر ساختار ساده و از نظر محتوا غنی است. از دو نوع حسگر استفاده می‌کند: حسگر هال GaAs برای اندازه‌گیری شدت القای مغناطیسی و مطالعه مقاومت حسگر مقاومت مغناطیسی InSb تحت شدت القای مغناطیسی مختلف. دانش‌آموزان می‌توانند اثر هال و اثر مقاومت مغناطیسی نیمه‌هادی را مشاهده کنند که با آزمایش‌های تحقیقاتی و طراحی مشخص می‌شوند.


جزئیات محصول

برچسب‌های محصول

آزمایش‌ها

۱. تغییر مقاومت یک حسگر InSb را در مقابل شدت میدان مغناطیسی اعمال شده بررسی کنید؛ فرمول تجربی را بیابید.

۲. نمودار مقاومت حسگر InSb در برابر شدت میدان مغناطیسی.

۳. ویژگی‌های AC یک حسگر InSb را تحت یک میدان مغناطیسی ضعیف (اثر دو برابر شدن فرکانس) مطالعه کنید.

 

مشخصات

توضیحات مشخصات
منبع تغذیه سنسور مقاومت مغناطیسی قابل تنظیم ۰-۳ میلی آمپر
ولت‌متر دیجیتال محدوده 0-1.999 ولت، وضوح 1 میلی ولت
میلی تسلامتر دیجیتال محدوده 0-199.9 میلی تسلا، وضوح 0.1 میلی تسلا

  • قبلی:
  • بعدی:

  • پیام خود را اینجا بنویسید و برای ما ارسال کنید